環境原位TEM芯片
環境原位TEM芯片，在透射電鏡中通過配合特殊設計的原位樣品桿，實現在力、熱、光、電或者氣體等環境因素作用下，對納米材料樣品的結構或形貌變化過程的原位實時觀察。其中，環境原位TEM芯片是實現原位觀察的關鍵。環境原位TEM芯片HEM-NR系列，可適配市面上主流的各式原位樣品桿，同時也可以根據客戶需求提供定制服務，滿足客戶的多樣化需求。
產品特點
- 高分辨率：使用超薄氮化硅薄膜作為觀察窗口，提供原子級分辨率
- 耐高溫：最高可在1300℃下持續工作超過6小時，耐受快速升降溫沖擊
- 耐壓：超薄氮化硅薄膜耐受氣體壓力大于1 atm
技術參數
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指標名稱 |
參數 |
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型號 |
HEM-NR-HT |
HEM-NR-ET |
HEM-NR-GH |
HEM-NR-LQ |
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類型 |
原位加熱 |
原位電化學 |
原位氣體加熱 |
原位液體 |
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窗口膜厚 |
10 ~ 50 nm |
30 ~ 50 nm |
20 ~ 50 nm |
50 nm |
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樣品池厚度 |
- |
100 ~ 200 nm |
100 nm ~ 2 μm |
100 ~ 500 nm |
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溫度范圍 |
RT ~ 1300℃ |
RT |
RT ~ 800℃ |
RT ~ 500℃ |
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溫度精度 |
≥98% |
- |
≥98% |
≥98% |
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最大升溫速率 |
>1000℃ |
- |
>1000℃ |
>100℃ |
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分辨率 |
≤0.1 nm |
≤1 nm |
≤0.1 nm |
≤1 nm |
應用領域
應用實例
